“红旗”1700V碳化硅技术，解锁电动汽车充电“5分钟”时代

近日，由中国一汽研发总院新能源开发院功率电子开发部主导设计的首款1700V超高压碳化硅功率器件样件开发成功。 该项突破 将有力解决用户在驾乘时面临的充电焦虑和里程焦虑问题，为未来红旗产品适应“千伏”以上高压架构落地，实现5分钟快速补能奠定了坚实基础，进一步拓宽了红旗新能源功率电子产品与技术版图 。 01 极速充电 美妙体验 超高压功率器件搭载国产先进1700V车规级超高压碳化硅芯片，创新采用高介电强度封装材料、高耐压封装结构等技术，经过测试，器件工作的最高母线电压可达1200V。相关产品与技术可助力补能系统向超高压平台升级，极大缩短充电时间，为用户带来前所未有的极致美妙充电体验。 02 澎湃动力 绿色节能 结合高密度元胞并联和短沟道元胞结构设计、高通流铜夹互联和高耐温银烧结工艺等先进技术，该碳化硅功率器件在超高压平台下可充分发挥低损耗与高电流输出综合性能优势，有效提升动力系统的功率密度和效率，能够在高压、高温下稳定高效运行，为用户带来澎湃强劲的驾驶体验同时，也可最大程度节约整车电耗，提升续驶里程。 1700V碳化硅功率半导体技术的成功开发丰富了“红旗”前瞻技术货架。未来，全体研发人将持续求真务实、开放创新，加速攻坚关键核心技术，提升产品核心竞争力，打造“客户满意、商业成功”的卓越研发产品。 红旗研发新视界 编辑：姜云海 责任编辑：刘　森 初审：宗　石 复审：杨子琦 终审：肖云龙